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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于Ga2O3AlScN异质结的自驱动日盲探测器及制备方法，该自驱动日盲探测器采用新兴的铁电材料AlScN与Ga2O3构成的异质结，通过铁电侧的去极化场调节内置电场的强度及半导体侧的耗尽区宽度，促进光生载流子的分离，提升了Ga2O3异质结自驱动日盲探测器的响应度和响应速率。由于AlScN有着与大多数铁电材料不同的高电导率，使得器件性能不会受到电导率的限制。本发明使用的AlScN材料的带隙与Ga2O3接近，使得该自驱动日盲探测器不会对日盲波段外的光信号进行响应，提升了该自驱动日盲探测器的探测精度，避免了无关的光信号的干扰。
主权项：1.基于Ga2O3AlScN异质结的自驱动日盲探测器，包括自下而上依次设有的FTO层1、Ga2O3层2、AlScN层3以及两个分别位于FTO层1和AlScN层3上的接触电极4和5；其特征在于，所述的Ga2O3层2和AlScN层3构成异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 基于Ga2O3/AlScN异质结的自驱动日盲探测器及制备方法
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