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申请/专利权人：上海交通大学
摘要：本发明提供一种原子层沉积制备AlScN薄膜的方法，该方法包括：将衬底放入沉积室；将沉积室抽真空至预设压力后，将沉积室加热，并向沉积室中恒定通入载气；在衬底的表面进行a次AlN沉积循环；进行b次ScN沉积循环；重复a次AlN沉积循环和b次ScN沉积循环的步骤，直至薄膜达到目标厚度，降温后得到Al1‑xScxN薄膜。本发明充分利用原子层沉积工艺表面自限制的生长原理，实现薄膜厚度的原子尺度精准调控，利用AlN和ScN的周期比例调控，实现组分比例的精准调控，利用ALD工艺薄膜的均一性，实现三维结构的集成能力。
主权项：1.一种原子层沉积制备Al1-xScxN薄膜的方法，其特征在于，包括：将衬底放入沉积室；将沉积室抽真空至预设压力后，将沉积室加热，并向沉积室中恒定通入载气；在所述衬底的表面进行a次AlN沉积循环；进行b次ScN沉积循环；重复a次AlN沉积循环和b次ScN沉积循环的步骤，直至薄膜达到目标厚度，降温后得到Al1-xScxN薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海交通大学 一种原子层沉积制备AlScN薄膜的方法
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