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申请/专利权人：盐城市晶汇电子材料有限公司
摘要：本发明公开了一种用于晶体生长炉的晶体生长方法，步骤包括：铂坩锅位置调整、铂坩锅清理、盖体清理、加热熔融、下种实施、放肩操作、快速生长、提离操作以及后续操作。该晶体生长方法采用将铂坩锅内置在氧化铝坩锅中来装载LT多晶料粉进行加热，具有较好的耐氧化性能，实现了非真空环境下的晶体生长需求，便于工人随时打开炉门对晶体生长情况进行观察，确保晶体生长可靠进行；通过分阶段提升籽晶杆来提拉放肩，能够使得晶体的肩部具有较好的过渡效果，且使得晶体肩部具有较强的结构强度，保证晶体悬挂生长可靠进行。
主权项：1.一种用于晶体生长炉的晶体生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将铂坩锅装入氧化铝坩锅内，在铂坩锅与氧化铝坩锅之间的空间内装填锆砂，氧化铝坩锅位于晶体生长炉加热线圈中心处，先调整铂坩锅的水平度，再调整铂坩锅与籽晶杆的同心度；步骤2，用吸尘器对铂坩锅内的杂物进行吸净，然后用酒精棉球对铂坩锅内壁进行擦拭，再将称重好的LT多晶料粉装入铂坩锅内；步骤3，将氧化铝内罩、内保温罩以及外保温罩均用吸尘器吸干净，再依次将氧化铝内罩、内保温罩以及外保温罩盖在氧化铝坩锅上方；步骤4，打开晶体生长炉的电频电源，启动升温程序，由加热线圈对铂坩锅进行加热，待LT多晶料粉融化为熔融物料后，再将电频电源降至接种功率值，并恒温保持40～60分钟；步骤5，设定籽晶杆的转速为8～14转分钟，再将籽晶杆的下端缓慢放下至熔融物料内，进行下种、接种以及熔种；步骤6，按照1.5～3.5mm小时的提升速度分阶段提升籽晶杆来提拉放肩，当肩部直径扩至预设尺寸后进入快速生长程序；步骤7，进入快速生长程序后，设置提升籽晶杆的提升速度为3.5～3.8mm小时，当晶体生长至设定长度后结束快速生长程序，停止籽晶杆的旋转驱动，并降低电频电源的功率值实现降温，提升籽晶杆使得晶体提离液面25～35mm，设置加热功率值归零；步骤8，待晶体冷却至室温后取出，并对取出的晶体进行初检、编号、称重、外形测量、颜色检测以及入库操作。
全文数据：
权利要求：
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