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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：一种基于GaNAlScN异质结的日盲探测器，包括衬底、GaN层、AlScN层以及电极，GaN层与AlScN层构成GaNAlScN异质结。本发明还提供了其制备方法，本发明中，GaNAlScN异质结界面处形成导带偏移和价带偏移，电子从AlScN扩散到GaN中，空穴从GaN扩散到AlScN中，在异质结界面处形成内建电场，当紫外光照射时，入射光被吸收并产生光生载流子，光生载流子在内建电场的作用下被扫至上下电极，在电路中产生光电流。由于AlScN的铁电性，其去除电场极化后仍保留退极化场，在极化状态下，退极化场的方向与内建电场的方向一致，使得内建电场强度增强，耗尽区宽度变大。从而极大地促进了光生载流子的分离和输运，光电流变大，提高其响应速率。
主权项：1.一种基于GaNAlScN异质结的日盲探测器，包括衬底、GaN层、AlScN层以及电极，其特征在于，所述GaN层与所述AlScN层构成GaNAlScN异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种基于GaN/AlScN异质结的日盲探测器及其制备方法
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