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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种AlNAlScN多量子阱红外探测器，包括依次设置的AlN蓝宝石模板层、AlNAlScN多量子阱层和n型掺杂的AlGaN接触层，以及AlNAlScN多量子阱层上的第一电极和n型掺杂的AlGaN接触层上的第二电极，并可进一步包括AlGaN缓冲层；本发明还提供了该探测器的制备方法，本发明可有效降低量子阱结构中的极化电场强度，控制载流子的迁移，延长子带吸收波长，并提升红外探测器的探测范围和响应速度，同时适于大规模生产应用。
主权项：1.一种AlNAlScN多量子阱红外探测器，其特征在于，包括依次设置的AlN蓝宝石模板层1、AlNAlScN多量子阱层3和n型掺杂的AlGaN接触层4，以及AlNAlScN多量子阱层3上的第一电极5和n型掺杂的AlGaN接触层4上的第二电极6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种AlN/AlScN多量子阱红外探测器及其制备方法
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