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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种基于AlScN铁电调控的GaN基场效应晶体管及其制备方法。本发明的场效应晶体管，介质层为AlScN铁电介质层，AlScN做为首个氮化物铁电材料，介电常数比传统氧化物绝缘栅高1个数量级，可以在低偏压下获得高的极化电场强度；并且其剩余极化强度高达80～150μCcm2，是传统氧化物及铪基铁电材料的2～6倍，强剩余极化特性可在外加电场为零时对二维电子气的自旋输运性质进行非易失调控；此外较低的生长温度及与GaN较为匹配的晶格常数使得其与GaN基异质结具有良好的兼容性，避免了氧化物铁电材料与氮化物半导体集成过程失配度较大导致的性能退化问题。
主权项：1.一种基于AlScN铁电调控的GaN基场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；GaN异质结层，其位于所述衬底的一侧面；AlScN铁电介质层，其位于所述GaN异质结层远离所述衬底的一侧面；栅电极，其位于所述AlScN铁电介质层远离所述衬底的一侧面；源电极；漏电极；其中，所述GaN异质结层的异质结界面处形成有二维电子气，所述源电极、漏电极均与所述二维电子气接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种基于AlScN铁电调控的GaN基场效应晶体管及其制备方法
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