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摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括：衬底；第一外延层，包括外延层本体和第一沟槽，外延层本体位于衬底的一侧表面上，第一沟槽位于外延层本体中；氧化层，位于第一沟槽的侧壁上；第二外延层，位于第一沟槽中，第二外延层分别与氧化层和第一沟槽的底面接触，第二外延层的导电类型与第一外延层的导电类型不同。本申请至少解决了现有技术中半导体器件的耐高压能力较差的问题。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一外延层，包括外延层本体和第一沟槽，所述外延层本体位于所述衬底的一侧表面上，所述第一沟槽位于所述外延层本体中；氧化层，位于所述第一沟槽的侧壁上；第二外延层，位于所述第一沟槽中，所述第二外延层分别与所述氧化层和所述第一沟槽的底面接触，所述第二外延层的导电类型与所述第一外延层的导电类型不同。
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百度查询： 珠海格力电子元器件有限公司 珠海格力电器股份有限公司 半导体器件及其制作方法
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