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摘要：一种半导体器件包括衬底、第一鳍和第二鳍。所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。所述半导体器件还包括：第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的至少一部分。所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分。所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分。所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；第一鳍；第二鳍，其中，所述第一鳍和所述第二鳍在所述衬底上沿第一方向彼此间隔开，并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第一浅沟槽，所述第一浅沟槽形成在所述第一鳍与所述第二鳍之间；以及场绝缘膜，所述场绝缘膜填充所述第一浅沟槽的第一区域并且暴露所述第一浅沟槽的第二区域，其中，所述场绝缘膜包括第一部分、与所述第一部分相邻的第二部分以及与所述第二部分相邻并且与所述第一浅沟槽的侧壁相邻的第三部分，其中，所述第一部分包括所述场绝缘膜的上表面的在所述第一方向上的中心部分，其中，所述场绝缘膜的所述上表面为朝着所述衬底凹入的大括号形状，其中，所述第一部分的中心具有凸出形状，其中，所述第一部分的端部具有朝向所述衬底的凹入形状，并且其中，所述第三部分具有朝向所述衬底的凸出形状。
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