龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：一种MOSFET器件，涉及半导体技术领域，包括：宽带隙外延片，所述宽带隙外延片包括宽带隙衬底和设置于所述宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；阱区，位于所述宽带隙外延片内；重掺杂区，位于所述阱区内；JFET注入区，位于所述宽带隙外延片内，且与所述阱区相邻设置，所述JFET注入区的离子掺杂浓度大于所述宽带隙外延片的离子掺杂浓度；其中，所述JFET注入区的掺杂类型与所述重掺杂区的掺杂类型相同，与所述阱区的掺杂类型不同；第一注入区，位于所述JFET注入区内，所述第一注入区与所述JFET注入区掺杂类型不同。该器件能提高MOSFET器件的制备稳定性。
主权项：1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：宽带隙外延片，所述宽带隙外延片包括宽带隙衬底和设置于所述宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；阱区，位于所述宽带隙外延片内；重掺杂区，位于所述阱区内；JFET注入区，位于所述宽带隙外延片内，且与所述阱区相邻设置，所述JFET注入区的离子掺杂浓度大于所述宽带隙外延片的离子掺杂浓度；其中，所述JFET注入区的掺杂类型与所述重掺杂区的掺杂类型相同，与所述阱区的掺杂类型不同；第一注入区，位于所述JFET注入区内，所述第一注入区与所述JFET注入区掺杂类型不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 MOSFET器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号