买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
摘要:本申请涉及功率器件封装结构,一种功率器件封装结构包括:框架,用于与外部电源电连接,多个间隔排布的功率器件,每一功率器件包括栅极、源极和漏极,每一功率器件的漏极均与框架电连接,多个间隔排布的第一管脚,每一功率器件的栅极均与一个第一管脚一一对应地电连接,多个间隔排布的第二管脚,每个功率器件的源极均与一个第二管脚一一对应地电连接。纵上所述,相较传统的功率器件并联接入电路方式,上述功率器件封装结构接入电路后,电路焊点数目较小,电路故障率低。
主权项:1.一种功率器件封装结构,其特征在于,所述功率器件封装结构包括:框架100,用于与外部电源电连接;多个间隔排布的功率器件200,每一所述功率器件200包括栅极210、源极220和漏极;每一所述功率器件200的所述漏极均与所述框架100电连接;多个间隔排布的第一管脚300,每一所述功率器件200的所述栅极210均与一个所述第一管脚300一一对应地电连接;多个间隔排布的第二管脚400,每个所述功率器件200的所述源极220均与一个所述第二管脚400一一对应地电连接。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 深圳深爱半导体股份有限公司 功率器件封装结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。