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摘要：本申请提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底的一侧形成至少一个应力释放结构，各个所述应力释放结构包括第一薄膜以及石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述第一薄膜背离所述衬底的一侧；于所述应力释放结构背离所述衬底的一侧形成第二薄膜。本申请通过引入石墨烯膜层实现氮化硅薄膜内应力的释放，缓解异质膜层接合面处原子失配现象，增强工艺兼容性，防止晶圆翘曲和变形，提高机械性能和热稳定性，优化电学性能，提高了第二薄膜在半导体制造应用中的性能和可靠性。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底的一侧形成至少一个应力释放结构，各个所述应力释放结构包括第一薄膜以及石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜位于所述第一薄膜背离所述衬底的一侧；于所述应力释放结构背离所述衬底的一侧形成第二薄膜。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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