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摘要：本申请提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构性能难以提升的问题。该半导体结构包括：衬底，包括隔离结构以及该隔离结构定义的有源区；栅极沟槽，设置于衬底内；栅电极，位于栅极沟槽内，栅电极包括栅极半导体层；空隙，位于栅极沟槽内，至少一个空隙连接栅极半导体层。本申请中通过将空隙设置在栅极沟槽中，并使得至少一个空隙连接栅极半导体层，这样，可以在确保半导体结构的小尺寸的同时，提升半导体结构的性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底100，包括隔离结构121以及该隔离结构121定义的有源区120；栅极沟槽，设置于所述衬底100内；栅电极130，位于所述栅极沟槽内，所述栅电极130包括栅极半导体层132；空隙150，位于所述栅极沟槽内，至少一个所述空隙150连接所述栅极半导体层132。
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百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体结构
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