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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：包括具有重分布层的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括：封装基板；第一半导体芯片，其设置在封装基板上方并具有中央区域和边缘区域；以及封装重分布层，其设置在第一半导体芯片上方，其中，第一半导体芯片包括：下结构；重分布导电层，其设置在下结构上方并且电连接到下结构，该重分布导电层包括设置在中央区域中的重分布焊盘；以及保护层，其覆盖下结构和重分布导电层，并且具有暴露重分布焊盘的开口，其中，封装重分布层包括：封装重分布导电层，其连接到重分布焊盘并且延伸到边缘区域，该封装重分布导电层包括设置在边缘区域中的封装重分布焊盘，并且其中，在边缘区域中，重分布导电层被省略。
主权项：1.一种半导体封装，该半导体封装包括：封装基板；第一半导体芯片，该第一半导体芯片设置在所述封装基板上方并且具有中央区域和边缘区域；以及封装重分布层，该封装重分布层设置在所述第一半导体芯片上方，其中，所述第一半导体芯片包括：下结构；重分布导电层，该重分布导电层设置在所述下结构上方并且电连接到所述下结构，该重分布导电层包括设置在所述中央区域中的重分布焊盘；以及保护层，该保护层覆盖所述下结构和所述重分布导电层，并且具有暴露所述重分布焊盘的开口，其中，所述封装重分布层包括：封装重分布导电层，该封装重分布导电层连接到所述重分布焊盘并且延伸到所述边缘区域，该封装重分布导电层包括设置在所述边缘区域中的封装重分布焊盘，并且其中，在所述边缘区域中，所述重分布导电层被省略。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 包括具有重分布层的半导体芯片的半导体封装
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