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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
摘要：提供一种集成度高的半导体装置。半导体装置包括：第一及第二晶体管；以及绝缘层，第一晶体管包括：源电极；在源电极上的绝缘层上的漏电极；接触于源电极的顶面、设置在绝缘层的开口的内壁及漏电极的顶面的第一半导体层；接触于第一半导体层的顶面及侧面的第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上的具有重叠于开口的内壁的区域的第一栅电极，第二晶体管包括：绝缘层上的第二半导体层；接触于第二半导体层的顶面及侧面中的一方的源电极；接触于第二半导体层的顶面及侧面中的另一方的漏电极；接触于第二半导体层的顶面、源电极的顶面及侧面以及漏电极的顶面及侧面的第二栅极绝缘层；第二栅极绝缘层上的第二栅电极，并且，第一半导体层与第二栅电极接触。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管；以及绝缘层，其中，所述第一晶体管包括第一导电层、第二导电层、第一半导体层、第一栅极绝缘层及第一栅电极，所述第二晶体管包括第三导电层、第四导电层、第二半导体层、第二栅极绝缘层及所述第二导电层，所述绝缘层接触于所述第一导电层的顶面、所述第一半导体层的侧面及所述第二半导体层的底面且包括到达所述第一导电层的开口，所述第一导电层具有所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个的功能，所述第二导电层具有所述第一晶体管的源电极和漏电极中的另一个的功能及所述第二晶体管的第二栅电极的功能，所述第三导电层具有所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个的功能，所述第四导电层具有所述第二晶体管的源电极和漏电极中的另一个的功能，所述第一半导体层接触于所述第一导电层的顶面、所述开口的内壁以及所述第二导电层的侧面及顶面，所述第一栅电极隔着所述第一栅极绝缘层以具有重叠于所述开口的内壁的区域的方式设置在所述第一半导体层上，所述第二导电层隔着所述第二栅极绝缘层设置在所述第二半导体层上且接触于所述第一半导体层的底面，所述第三导电层接触于所述第二半导体层的侧端部的一方的侧面及顶面，并且，所述第四导电层接触于所述第二半导体层的侧端部的另一方的侧面及顶面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置、以及半导体装置的制造方法
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