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申请/专利权人：润芯感知科技(南昌)有限公司
摘要：一种半导体加工工艺方法和半导体器件，所述半导体加工工艺方法包括：形成包括衬底、金属结构和图案化的掩膜层的中间结构；将中间结构置于刻蚀机台的刻蚀腔室中，并在刻蚀腔室中使用刻蚀物质对金属结构进行刻蚀工艺，刻蚀工艺以图案化的掩膜层作为刻蚀掩膜，移除金属结构的部分，并形成金属图案；在刻蚀工艺后，在中间结构的表面上残留有由刻蚀物质和金属结构的被移除部分反应生成的刻蚀副产物；将中间结构从刻蚀机台的刻蚀腔室移至刻蚀机台的附加真空腔室，向附加真空腔室通入水汽，并将水汽解离成等离子体，其中等离子体与刻蚀副产物反应，并生成气态产物；以及利用真空泵将气态产物从附加真空腔室抽出。
主权项：1.一种半导体加工工艺方法，其特征在于，包括：形成中间结构，其中所述中间结构包括衬底、金属结构和图案化的掩膜层，所述金属结构位于所述衬底的一侧，且所述图案化的掩膜层位于所述金属结构的远离所述衬底的一侧；将所述中间结构置于刻蚀机台的刻蚀腔室中，并在所述刻蚀腔室中使用刻蚀物质对所述金属结构进行刻蚀工艺，所述刻蚀工艺以所述图案化的掩膜层作为刻蚀掩膜，移除所述金属结构的部分，并形成金属图案；其中在所述刻蚀工艺后，在所述中间结构的表面上残留有由所述刻蚀物质和所述金属结构的被移除部分反应生成的刻蚀副产物；将所述中间结构从所述刻蚀机台的所述刻蚀腔室移至所述刻蚀机台的附加真空腔室，向所述附加真空腔室通入水汽，并将所述水汽解离成等离子体，其中所述等离子体与所述刻蚀副产物反应，并生成气态产物；以及利用真空泵将所述气态产物从所述附加真空腔室抽出。
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