龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：本发明涉及半导体装置及半导体元件的制造方法。抑制了在为了进行在半导体基板形成的半导体元件的电气特性的评价等对半导体元件施加了电压的情况下在半导体元件与元件间部之间发生局部放电，对异物附着于半导体基板、在半导体基板形成部件痕迹等进行抑制。半导体装置具有半导体基板以及放电抑制材料。半导体基板具有元件间部以及多个半导体元件。多个半导体元件在半导体基板的扩展方向排列。元件间部位于多个半导体元件所包含的相邻的半导体元件之间。放电抑制材料附着于元件间部的表面，但没有附着于多个半导体元件所包含的各半导体元件的中央部的表面。放电抑制材料由绝缘体构成。
主权项：1.一种半导体装置，其具有：半导体基板，其形成有元件间部和多个半导体元件，该多个半导体元件在所述半导体基板的扩展方向排列，该元件间部位于所述多个半导体元件所包含的相邻的半导体元件之间；以及放电抑制材料，其附着于所述元件间部的表面，而没有附着于所述多个半导体元件所包含的各半导体元件的中央部的表面，该放电抑制材料由绝缘体构成，所述各半导体元件具有有源部和包围所述有源部的终端部，在所述终端部设置有绝缘层，所述放电抑制材料覆盖所述绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体元件的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号