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申请/专利权人:物元半导体技术(青岛)有限公司
摘要:本发明涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件,其中,制造方法至少包括以下步骤:提供一器件晶圆;对器件晶圆的正面执行正面工艺;形成覆盖器件晶圆的正面的硬掩模层;提供一支撑晶圆;将器件晶圆上的硬掩模层与支撑晶圆的键合表面键合连接,以使器件晶圆和支撑晶圆上下堆叠形成晶圆组合,晶圆组合位于厚度方向上的两侧表面分别为第一表面和第二表面;对晶圆组合的第一表面执行研磨工艺至器件晶圆达到目标厚度;对晶圆组合的第二表面执行Taiko工艺,通过Taiko工艺对支撑晶圆除边缘之外的区域进行减薄,减薄后在边缘形成环状结构。通过该制造方法可以进一步减薄晶圆厚度,同时减少缺陷的产生,提高良品率。
主权项:1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,至少包括以下步骤:提供一器件晶圆;对所述器件晶圆的正面执行正面工艺以形成器件功能区;形成覆盖所述器件晶圆的正面的硬掩模层;提供一支撑晶圆,所述支撑晶圆具有与所述器件晶圆的正面形状吻合的键合表面;将所述器件晶圆上的所述硬掩模层与所述支撑晶圆的所述键合表面键合连接,以使所述器件晶圆和所述支撑晶圆上下堆叠形成晶圆组合,所述晶圆组合位于厚度方向上的两侧表面分别为第一表面和第二表面,其中,所述第一表面为所述器件晶圆的背面,所述第二表面为所述支撑晶圆背离所述键合表面另一侧的表面;对所述晶圆组合的所述第一表面执行研磨工艺至所述器件晶圆达到目标厚度;对所述晶圆组合的所述第二表面执行Taiko工艺,通过所述Taiko工艺对所述支撑晶圆除边缘之外的区域进行减薄,减薄后在边缘形成环状结构。
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