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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，并于衬底的顶面形成介质材料叠层；去除部分衬底，以形成隔离沟槽；去除部分介质材料叠层，以形成介质叠层及目标沟槽，目标沟槽位于隔离沟槽正上方，且目标沟槽沿第一方向的长度大于隔离沟槽沿第一方向的长度，第一方向为平行衬底的方向；形成第一隔离层，第一隔离层覆盖隔离沟槽的内表面、目标沟槽的侧壁以及介质叠层的顶面；于第一隔离层的表面形成第二隔离层，第一隔离层与第二隔离层构成目标隔离层。上述半导体结构的制备方法至少能够避免在沟槽内填充隔离层时形成的空洞。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，并于所述衬底的顶面形成介质材料叠层；去除部分所述衬底，以形成隔离沟槽；去除部分所述介质材料叠层，以形成介质叠层及目标沟槽，所述目标沟槽位于所述隔离沟槽正上方，且所述目标沟槽沿第一方向的长度大于所述隔离沟槽沿所述第一方向的长度，所述第一方向为平行所述衬底的方向；形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述隔离沟槽的内表面、所述目标沟槽的侧壁以及所述介质叠层的顶面；于所述第一隔离层的表面形成第二隔离层，所述第一隔离层与所述第二隔离层构成目标隔离层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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