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申请/专利权人:宁波石墨烯创新中心有限公司
摘要:本发明公开了一种外延片结构及其制备方法。外延片结构:包括Si绝缘材料Si结构复合衬底,过渡层,过渡层上的缓冲层,缓冲层上方的沟道层,以及沟道层上方的势垒层。在生长完过渡层后,通过氧化或者氮化工艺,将过渡层与衬底中绝缘材料之间的硅材料层氧化或者氮化,形成二氧化硅或者氮化硅绝缘介质层。然后在过渡层的上方按照通常氮化物外延生长工艺依次生长缓冲层,沟道层以及势垒层。通过将外延层与衬底中绝缘材料之间的硅材料转变为绝缘二氧化硅或者氮化硅材料,可以有效提高氮化物外延片的耐压。
主权项:1.一种外延片结构,其特征在于,包括:复合衬底,过渡层,过渡层上的缓冲层,缓冲层上方的沟道层,以及沟道层上方的势垒层,所述复合衬底为Si绝缘材料SiO2结构或者Si绝缘材料Si3N4结构。
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