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申请/专利权人：宁波石墨烯创新中心有限公司
摘要：本发明提供一种外延制备工艺，至少用于制备硅衬底氮化物半导体外延，硅衬底氮化物半导体外延片的结构至少包括：硅衬底，以及形成于硅衬底上的过渡层，将硅衬底与过渡层界面处的硅材料氧化或者氮化以形成绝缘介质层，该介质层的厚度可以通过氧化或者氮化工艺调节。通过将外延与衬底界面处的硅材料转变为绝缘二氧化硅或者氮化硅材料，将衬底Si的一部分厚度转变为高耐压的绝缘介质层材料，可以有效提高氮化物外延片的耐压，并降低对外延层厚度的要求因而降低生长技术难度，可以同时减少外延生长时间，提高外延参数均匀性，从而提高外延片和芯片的良率。
主权项：1.一种外延制备工艺，至少用于制备硅衬底氮化物半导体外延，硅衬底氮化物半导体外延片的结构至少包括：硅衬底，以及形成于硅衬底上的过渡层，其特征在于，将硅衬底与过渡层界面处的硅材料氧化或者氮化以形成绝缘介质层。
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权利要求：
百度查询： 宁波石墨烯创新中心有限公司 一种外延制备工艺
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