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申请/专利权人：嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司
摘要：本发明涉及一种厚膜碳化硅外延的制备方法，涉及碳化硅外延技术领域，包括：对碳化硅衬底依次进行高温刻蚀、缓冲层生长、外延层生长和漂移层生长，得到厚膜碳化硅外延；其中，所述外延层生长包括依次的进行的第一掺氮生长、无掺生长、第二掺氮生长、无掺生长、第三掺氮生长、无掺生长、第四掺氮生长、无掺生长、第五掺氮生长、无掺生长、第六掺氮生长和无掺生长；所述厚膜碳化硅外延中外延层的厚度为100‑200μm。本发明提供的制备方法，通过采用特定设计的外延层生长过程，采用交替生长的方式，显著提升了外延生长时N元素生长方向浓度分布的均匀性，从而避免了器件正向电压偏高的问题。
主权项：1.一种厚膜碳化硅外延的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：对碳化硅衬底依次进行高温刻蚀、缓冲层生长、外延层生长和漂移层生长，得到厚膜碳化硅外延；其中，所述外延层生长包括依次的进行的第一掺氮生长、第一无掺生长、第二掺氮生长、第二无掺生长、第三掺氮生长、第三无掺生长、第四掺氮生长、第四无掺生长、第五掺氮生长、第五无掺生长、第六掺氮生长和第六无掺生长；所述第一掺氮生长的时间＞第二掺氮生长的时间＞第三掺氮生长的时间＞第四掺氮生长的时间＞第五掺氮生长的时间＞第六掺氮生长的时间；所述厚膜碳化硅外延中外延层的厚度为100-200μm。
全文数据：
权利要求：
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