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导电膜及其制备方法 

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申请/专利权人:浙江柔震科技有限公司

摘要:本发明公开了一种导电膜及其制备方法,属于导电膜技术领域,包括支撑层和对应弯折区在支撑层表面形成的过渡层,至少在过渡层表面形成导电层;弯折区的过渡层弯折后与导电层具有第一位相对移量L1,非弯折区的过渡层弯折后与导电层具有第二相对位移量L2,并满足L2大于L1。本发明的导电膜,过渡层在非弯折区具有相对更大的相对位移量,因此在弯折后,其产生的弯折应力,可以通过相对位移量大的非弯折区的层间滑移进行释放,能够一定程度减少弯折区应力过于集中的情况。

主权项:1.一种导电膜,其特征在于,包括支撑层和对应弯折区在支撑层表面形成的过渡层,至少在过渡层表面形成导电层;其中,弯折区的过渡层弯折后与导电层具有第一位相对移量L1,非弯折区的过渡层弯折后与导电层具有第二相对位移量L2,并满足L2大于L1。

全文数据:

权利要求:

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