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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本公开提供了一种微纳结构制备方法，包括：在衬底上生长样品层，样品层用于制备微纳结构；在样品层上旋涂抗蚀剂；去除部分抗蚀剂，抗蚀剂的去除部分与微纳结构的图形对应；在抗蚀剂表面淀积Al2O3薄膜，将抗蚀剂与抗蚀剂表面的Al2O3薄膜剥离，样品层的表面形成Al2O3掩膜，样品层未被Al2O3掩膜覆盖的部分用于微纳结构的刻蚀；根据Al2O3掩膜对样品层进行刻蚀，去除Al2O3掩膜，得到微纳结构。本公开利用Al2O3作为掩膜，能够制造高深宽比、高精度的微纳结构。
主权项：1.一种微纳结构制备方法，其特征在于，包括：在衬底（1）上生长样品层（2），所述样品层（2）用于制备所述微纳结构；在所述样品层（2）上旋涂抗蚀剂（3）；去除部分抗蚀剂（3），所述抗蚀剂（3）的去除部分与所述微纳结构的图形对应；在所述抗蚀剂（3）表面淀积Al2O3薄膜（4），将所述抗蚀剂（3）与所述抗蚀剂（3）表面的Al2O3薄膜（4）剥离，所述样品层（3）的表面形成Al2O3掩膜（5），所述样品层（2）未被Al2O3掩膜（5）覆盖的部分用于所述微纳结构的刻蚀；根据所述Al2O3掩膜（5）对所述样品层（2）进行刻蚀，去除所述Al2O3掩膜（5），得到所述微纳结构（6）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 微纳结构制备方法
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