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申请/专利权人:厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
摘要:本申请公开了一种LED外延结构,LED外延结构包括:外延衬底;在外延衬底的一侧表面上从下到上依次层叠的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层;其中,腐蚀截止层与第一型半导体层之间具有多个GaAs量子点结构。本申请技术方案通过在腐蚀截止层和第一型半导体层之间增加GaAs量子点结构,可以基于GaAs量子点结构的量子限制效应,调节能带结构,进而改善能带偏移问题。
主权项:1.一种LED外延结构,其特征在于,包括:外延衬底;在所述外延衬底的一侧表面上从下到上依次层叠的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层;其中,所述腐蚀截止层与所述第一型半导体层之间具有多个GaAs量子点结构。
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权利要求:
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