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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本实用新型提供一种半导体器件布局结构，包括需修改特性的第一区域和无需修改特性的第二区域，第一区域中设置第一单元布局结构，第二区域中设置第二单元布局结构，第一单元布局结构和第二单元布局结构均设置有多晶硅栅极，相邻第一单元布局结构之间边界上设置第一虚拟多晶硅栅极，相邻第二单元布局结构之间、第一单元布局结构和第二单元布局结构之间的边界上均设置第二虚拟多晶硅栅极，第一虚拟多晶硅栅极的宽度大于第二虚拟多晶硅栅极的宽度，通过增加第一区域中的第一虚拟多晶硅栅极的宽度，缩短多晶硅栅极和相邻的第一虚拟多晶硅栅极之间的间距，以降低第一单元布局结构中MOS晶体管的阈值电压Vth，从而在不增加装置类型的情况下提高速度。
主权项：1.一种半导体器件布局结构，其特征在于，包括需修改MOS晶体管特性的第一区域和无需修改MOS晶体管特性的第二区域，所述第一区域中设置有至少两个第一单元布局结构，所述第二区域中设置有多个第二单元布局结构，所述第一单元布局结构和第二单元布局结构中均设置有多晶硅栅极，相邻所述第一单元布局结构之间的边界上设置有第一虚拟多晶硅栅极，相邻所述第二单元布局结构之间、所述第一单元布局结构和第二单元布局结构之间的边界上均设置有第二虚拟多晶硅栅极，每个所述多晶硅栅极均与相邻的第一虚拟多晶硅栅极和或第二虚拟多晶硅栅极平行设置，且所述第一虚拟多晶硅栅极的宽度大于所述第二虚拟多晶硅栅极的宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种半导体器件布局结构
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