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申请/专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
摘要：本申请公开了一种薄膜半导体芯片制备方法和相应的制备结构。所述方法包括：在第一临时衬底上外延生长半导体芯片外延片；在半导体芯片外延片上制备复合金属衬底；通过第一腐蚀液腐蚀牺牲层，将半导体芯片外延片从第一临时衬底剥离；以复合金属衬底作为支撑，在半导体芯片外延片上进行后续芯片加工；以及去除第二临时衬底，获得薄膜半导体芯片。根据本申请的薄膜半导体芯片制备方法和相应的制备结构，设置了复合金属衬底，所述复合金属衬底包括薄膜金属层、截止层和第二临时衬底，因此，在芯片加工过程中，复合金属衬底具有足够的厚度和支撑能力，在芯片加工完毕后，通过去除第二临时衬底，可满足芯片薄膜化的要求；工艺简单，易于实施。
主权项：1.一种薄膜半导体芯片制备方法，包括：在第一临时衬底上外延生长半导体芯片外延片，所述半导体芯片外延片包括邻接所述临时衬底的牺牲层；在半导体芯片外延片的与第一临时衬底相反的一侧上制备复合金属衬底，所述复合金属衬底从半导体芯片外延片一侧起顺序包括薄膜金属层、截止层和第二临时衬底；通过第一腐蚀液腐蚀牺牲层，将半导体芯片外延片从第一临时衬底剥离；以复合金属衬底作为支撑，在半导体芯片外延片的与复合金属衬底相反的一侧上进行后续芯片加工；以及去除第二临时衬底和截止层，获得薄膜半导体芯片；其中，所述截止层为金属层，所述第二临时衬底为金属衬底。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏宜兴德融科技有限公司 一种薄膜半导体芯片制备方法和薄膜半导体芯片制备结构
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