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申请/专利权人:天津威盛电子有限公司
摘要:本申请公开了一种压电薄膜滤波器。该压电薄膜滤波器具有并联谐振器和串联谐振器,并包括:构成并联谐振器的并联空腔和构成串联谐振器的串联空腔;在衬底中构成并联谐振器的并联衬底部分上形成的并联下电极;在衬底中构成串联谐振器的串联衬底部分上形成的串联下电极;形成在衬底、并联下电极和串联下电极上的压电层;以及形成在压电层上的上电极,其中串联下电极包括第一串联下电极和第二串联下电极,第一串联下电极形成在串联衬底部分中形成串联空腔的部分上,并且第二串联下电极形成在串联衬底部分中未形成串联空腔的部分上,其中第一串联下电极的厚度小于或等于与第二串联下电极的厚度相比的预定厚度。
主权项:1.一种压电薄膜滤波器,所述压电薄膜滤波器具有并联谐振器和串联谐振器,并且包括:衬底,所述衬底包括构成所述并联谐振器的并联空腔和构成所述串联谐振器的串联空腔;并联下电极,所述并联下电极形成在所述衬底中构成所述并联谐振器的并联衬底部分上;串联下电极,所述串联下电极形成在所述衬底中构成所述串联谐振器的串联衬底部分上;压电层,所述压电层形成在所述衬底、所述并联下电极和所述串联下电极上;以及上电极,所述上电极形成在所述压电层上,其中,所述串联下电极包括第一串联下电极和第二串联下电极,所述第一串联下电极形成在所述串联衬底部分中形成有所述串联空腔的部分上,并且所述第二串联下电极形成在所述串联衬底部分中未形成所述串联空腔的部分上,其中,所述第一串联下电极的厚度小于或等于与所述第二串联下电极的厚度相比的预定厚度。
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百度查询: 天津威盛电子有限公司 压电薄膜滤波器
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