龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：天津威盛电子有限公司
摘要：本申请公开了一种压电薄膜滤波器。该压电薄膜滤波器具有并联谐振器和串联谐振器，并包括：构成并联谐振器的并联空腔和构成串联谐振器的串联空腔；在衬底中构成并联谐振器的并联衬底部分上形成的并联下电极；在衬底中构成串联谐振器的串联衬底部分上形成的串联下电极；形成在衬底、并联下电极和串联下电极上的压电层；以及形成在压电层上的上电极，其中串联下电极包括第一串联下电极和第二串联下电极，第一串联下电极形成在串联衬底部分中形成串联空腔的部分上，并且第二串联下电极形成在串联衬底部分中未形成串联空腔的部分上，其中第一串联下电极的厚度小于或等于与第二串联下电极的厚度相比的预定厚度。
主权项：1.一种压电薄膜滤波器，所述压电薄膜滤波器具有并联谐振器和串联谐振器，并且包括：衬底，所述衬底包括构成所述并联谐振器的并联空腔和构成所述串联谐振器的串联空腔；并联下电极，所述并联下电极形成在所述衬底中构成所述并联谐振器的并联衬底部分上；串联下电极，所述串联下电极形成在所述衬底中构成所述串联谐振器的串联衬底部分上；压电层，所述压电层形成在所述衬底、所述并联下电极和所述串联下电极上；以及上电极，所述上电极形成在所述压电层上，其中，所述串联下电极包括第一串联下电极和第二串联下电极，所述第一串联下电极形成在所述串联衬底部分中形成有所述串联空腔的部分上，并且所述第二串联下电极形成在所述串联衬底部分中未形成所述串联空腔的部分上，其中，所述第一串联下电极的厚度小于或等于与所述第二串联下电极的厚度相比的预定厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津威盛电子有限公司 压电薄膜滤波器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号