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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
摘要：本发明提供一种MRAM芯片的测试方法和MRAM芯片，包括：从低到高使用不同档位的写电压幅值和写电压脉冲宽度，对MRAM芯片主阵列每个子区域进行写读操作，在写入错误率满足要求的情况下，得到每个子区域写电压幅值和写电压脉冲宽度的最优档位；将每个子区域写电压幅值和写电压脉冲宽度的最优档位的指示信息存储到控制信息存储阵列。本发明能够优化写入错误率的同时减少较高的写电压对芯片寿命造成的损伤。
主权项：1.一种MRAM芯片的测试方法，其特征在于，所述MRAM芯片包括用于存储数据的主阵列，所述主阵列被分为多个子区域，每个所述子区域的写电压的脉冲宽度和幅值可独立控制，所述方法包括：从低到高使用不同档位的写电压幅值和写电压脉冲宽度，对每个所述子区域进行写读操作，在写入错误率满足要求的情况下，得到每个所述子区域写电压幅值和写电压脉冲宽度的最优档位；将每个所述子区域写电压幅值和写电压脉冲宽度的最优档位的指示信息存储到控制信息存储阵列。
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权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 MRAM芯片的测试方法和MRAM芯片
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