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申请/专利权人:杭州加速科技有限公司
摘要:本发明公开一种测试芯片延时的拟合方法和装置。该拟合方法包括:获取多组训练数据,每组训练数据包括测试芯片在测试环境中的输入电压测量值以及测试芯片的延时测量值;采用多元线性回归的方式对多组训练数据进行拟合,得到拟合方程。在拟合方程中,芯片的延时为因变量,测试芯片的输入电压为自变量。通过本发明获得的芯片延时的拟合方法,可以实现芯片延时的高效、稳定且准确的预估。
主权项:1.一种测试芯片延时的拟合方法,包括:获取多组训练数据,每组训练数据包括所述测试芯片在测试环境中的输入电压测量值以及所述测试芯片的延时测量值;采用多元线性回归的方式对所述多组训练数据进行拟合,得到拟合方程,其中所述测试芯片的延时为因变量,所述测试芯片的输入电压为自变量,其中,所述测试芯片具有输出的测试信号DUT,所述输入电压测量值包括VIH、VIL、VOH和VOL的测量值,其中,VIH控制DUT的最高电压,VIL控制DUT的最低电压,VOH和VOL相等且均为所述测试芯片的比较器的参考电压,其中,在所述测试环境中,所述测试芯片向待测芯片提供DUT信号,所述待测芯片根据DUT信号产生输出信号并反馈给所述测试芯片的比较端,其中,所述拟合方程为:hx=θ0+θ1X1+θ2X2+θ3X3其中,θ0为一个常量,X1、X2、X3分别表示自变量VIH、VIL、VOH,θ1、θ2、θ3表示三个参数变量,hx表示所述测试芯片的延时,其中,采用线性回归的方式对所述输入电压和所述延时进行拟合,得到拟合方程包括:建立所述测试芯片的延时的损失函数;通过最小化所述损失函数求解参数θ0、θ1、θ2、θ3,并且其中,所述拟合方程的矩阵和向量表示为:hθx=θTX,其中,θ表示参数矩阵,X表示自变量向量,hθx表示测试芯片的延时,所述损失函数为:所述参数矩阵的解为:θ=xTx-1xTY,其中,Y为所述延时测量值的向量。
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