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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种三维半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括单元阵列区域和连接区域；以及电极结构，所述电极结构沿第一方向从所述单元阵列区域延伸到所述连接区域，并且包括垂直堆叠在所述衬底上的多个电极，每个所述电极包括位于所述单元阵列区域上的电极部分和位于所述连接区域上的焊盘部分，其中，所述电极包括位于距所述衬底的第一水平高度处的第一电极和位于距所述衬底的第二水平高度处的第二电极，所述第二水平高度高于所述第一水平高度，并且所述第一电极的所述焊盘部分比所述第二电极的所述焊盘部分更靠近所述单元阵列区域。
主权项：1.一种三维半导体存储器件，包括：衬底，所述衬底包括单元阵列区域和连接区域；以及电极结构，所述电极结构沿第一方向从所述单元阵列区域延伸到所述连接区域，并且包括垂直并交替堆叠在所述衬底上的多个电极和多个电介质层，每个所述电极包括位于所述单元阵列区域上的电极部分和位于所述连接区域上的焊盘部分，其中，所述电极包括位于距所述衬底的第一水平高度处的第一电极和垂直堆叠在所述第一电极上的多个第二电极，所述多个第二电极中的最下面的第二电极位于距所述衬底的第二水平高度处，所述第二水平高度高于所述第一水平高度，所述第一电极的所述焊盘部分比所述多个第二电极的所述焊盘部分更靠近所述单元阵列区域，并且其中，所述第一电极和所述多个第二电极从所述单元阵列区域连续地延伸到所述连接区域。
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