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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本公开实施例提供一种存储器及其制造方法、存储器系统。该制造方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括半导体层和位于半导体层上的初始叠层结构；形成沿堆叠方向贯穿初始叠层结构的栅线隔槽；形成沿堆叠方向延伸至目标栅极牺牲层的台阶接触孔；台阶接触孔包括相连通的第一部分和第二部分，第二部分沿平行于半导体层的方向延伸且暴露出目标栅极牺牲层的侧壁，第一部分沿堆叠方向延伸至第一部分在平行于半导体层的方向上与第二部分相连通，第二部分围绕第一部分；通过栅线隔槽去除部分栅极牺牲层，以形成第一间隙；第一间隙和对应的台阶接触孔相连通；在第一间隙和第二部分内形成第一导电结构；在第一部分内形成第二导电结构。
主权项：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的初始叠层结构，所述初始叠层结构包括交替堆叠的栅极牺牲层和层间绝缘层；形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构的栅线隔槽；形成沿堆叠方向延伸至所述初始叠层结构内的目标栅极牺牲层的台阶接触孔；所述台阶接触孔包括相连通的第一部分和第二部分，所述第二部分沿平行于所述半导体层的方向延伸且暴露出所述目标栅极牺牲层的侧壁，所述第一部分沿堆叠方向延伸至所述第一部分在平行于所述半导体层的方向上与所述第二部分相连通，所述第二部分围绕所述第一部分；通过所述栅线隔槽去除部分所述栅极牺牲层，以形成第一间隙；所述第一间隙和对应的所述台阶接触孔相连通；在所述第一间隙和所述第二部分内形成第一导电结构；在所述第一部分内形成第二导电结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种存储器及其制造方法、存储器系统
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