龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本公开实施例提供一种存储器及其制造方法、存储器系统。所述制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的初始叠层结构，所述初始叠层结构包括交替堆叠的栅极牺牲层和层间绝缘层；所述半导体结构包括阵列区和外围区，所述外围区围绕所述阵列区；形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽；所述栅线隔槽形成于所述阵列区，所述密封沟槽形成于所述外围区且所述密封沟槽围绕所述阵列区；通过所述密封沟槽去除位于所述外围区的部分栅极牺牲层，以形成第一间隙。
主权项：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的初始叠层结构，所述初始叠层结构包括交替堆叠的栅极牺牲层和层间绝缘层；所述半导体结构包括阵列区和外围区，所述外围区围绕所述阵列区；形成沿堆叠方向贯穿所述初始叠层结构并延伸至所述半导体层的栅线隔槽和密封沟槽；所述栅线隔槽形成于所述阵列区，所述密封沟槽形成于所述外围区且所述密封沟槽围绕所述阵列区；通过所述密封沟槽去除位于所述外围区的部分栅极牺牲层，以形成第一间隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种存储器及其制造方法、存储器系统
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号