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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体存储器装置，包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；下有源区，其在第一表面上并包括第一下栅电极和第一下有源接触件；上有源区，其在下有源区上并包括第一上栅电极和与第一下有源接触件的至少一部分竖直地重叠的第一上有源接触件；第一连接结构，其将第一上有源接触件竖直地连接到第一下有源接触件；第一金属层，其在第一表面上；以及背侧金属层，其在第二表面上。第一上栅电极和第一下栅电极连接并形成第一栅电极。第一金属层包括将第一栅电极电连接到第一上有源接触件的第一节点线。
主权项：1.一种半导体存储器装置，包括：衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；下有源区，其在所述第一表面上，所述下有源区包括第一下栅电极和与所述第一下栅电极间隔开的第一下有源接触件；上有源区，其在所述下有源区上，所述上有源区包括第一上栅电极和与所述第一上栅电极间隔开的第一上有源接触件，所述第一上有源接触件与所述第一下有源接触件的至少一部分竖直地重叠；第一连接结构，其将所述第一上有源接触件竖直地连接到所述第一下有源接触件；第一金属层，其在所述第一表面上；以及背侧金属层，其在所述第二表面上，其中所述第一上栅电极和所述第一下栅电极连接并形成第一栅电极，并且所述第一金属层包括将所述第一栅电极电连接到所述第一上有源接触件的第一节点线。
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