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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：提供了存储器装置和存储器装置的制造方法。该存储器装置包括多个导电层、穿透多个导电层的支撑结构、暴露多个导电层中的任一个和多个支撑结构中的任一个的接触孔以及设置在接触孔中的接触件。
主权项：1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构包括交替堆叠的多个绝缘层和多个导电层；多个支撑结构，所述多个支撑结构在堆叠方向上延伸，所述堆叠方向是所述多个绝缘层和所述多个导电层堆叠所沿的方向；多个接触孔，所述多个接触孔穿透所述多个导电层和所述多个绝缘层中的至少一个层，在所述堆叠方向上延伸的所述多个接触孔被形成为具有不同的长度，以分别地暴露设置在不同高度处的所述多个导电层；以及多个接触件，所述多个接触件设置在所述多个接触孔中，以分别地连接到所述多个导电层，其中，所述多个接触孔包括暴露所述多个支撑结构中的至少一个的侧壁的第一接触孔和与所述多个支撑结构间隔开的第二接触孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 存储器装置和存储器装置的制造方法
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