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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了一种三维3D存储器件及其形成方法。根据本公开的实施例，一种用于形成三维存储器件的方法包括：在衬底上形成包括多个交替的第一电介质层和第二电介质层的初始堆叠结构，所述初始堆叠结构包括第一区域和第二区域；去除所述第一区域的部分所述初始堆叠结构，在所述第一区域和所述第二区域之间形成预定高度差；在所述第一区域中形成垂直延伸的多个沟道孔；以及填充所述沟道孔，形成多个沟道结构。
主权项：1.一种用于形成三维3D存储器件的方法，包括：在衬底上形成包括多个交替的第一电介质层和第二电介质层的初始堆叠结构，所述初始堆叠结构包括第一区域和第二区域；去除所述第一区域的部分所述初始堆叠结构，在所述第一区域和所述第二区域之间形成预定高度差；在所述第一区域中形成垂直延伸的多个沟道孔；以及填充所述沟道孔，形成多个沟道结构。
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百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器件及其形成方法
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