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申请/专利权人：日商爱伯压电对策股份有限公司
摘要：膜构造体10具有：Si层12a；ZrO2层12b，是包含形成于Si层12a上的ZrO2的缓冲膜；和压电体膜11，形成于ZrO2层12b上，Si层12a是Si基板、或者包含由Si基板构成的基体、基体上的绝缘层、和绝缘层上的由Si膜构成的SOI层的SOI基板中的SOI层，压电体膜11的极化方向优先取向为与基板垂直。
主权项：1.一种膜构造体，其特征在于，具有：基板；缓冲膜，形成于所述基板上，包含ZrO2；和压电体膜，形成于所述缓冲膜上，所述基板是Si基板或者SOI基板，所述SOI基板包含由Si基板构成的基体、所述基体上的绝缘层、和所述绝缘层上的由Si膜构成的SOI层，所述压电体膜的极化方向优先取向为与所述基板垂直。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日商爱伯压电对策股份有限公司 膜构造体以及电子器件
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