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利用单栅极的反馈电场效电子器件的整合放电神经元电路 

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申请/专利权人:高丽大学校产学协力团

摘要:本发明涉及为了小面积和低耗能而使用单栅极的反馈电场效电子器件FBFET的新整合放电神经元电路integrate‑and‑fireIFneuroncircuit,在一实施例的神经元电路中,通过电容器充电从突触输入的电流来生成电势potential,若生成的上述电势大于阈值,则利用连接于上述电容器的单栅极的反馈电场效电子器件生成与生成的上述电势相对应的刺突电压并输出,利用连接于上述反馈电场效电子器件的多个晶体管来复位生成的上述刺突电压。

主权项:1.一种神经元电路,其特征在于,通过电容器充电从突触输入的电流来生成电势,若生成的上述电势大于阈值,则利用连接于上述电容器的单栅极的反馈电场效电子器件,来生成与所生成的上述电势相对应的刺突电压并输出,利用连接于上述反馈电场效电子器件的三个晶体管来复位所生成的上述刺突电压,在上述单栅极的反馈电场效电子器件中,漏极端与上述电容器并联连接,源极端与上述三个晶体管相连接,栅极端与第一字线相连接,在上述三个晶体管中,第一晶体管的栅极端与第二字线相连接,漏极端与上述反馈电场效电子器件的源极端串联连接,第二晶体管的栅极端及漏极端与上述第一晶体管的漏极端和上述反馈电场效电子器件的源极端共同连接,第三晶体管的漏极端与上述电容器及上述反馈电场效电子器件的漏极端共同连接,上述第三晶体管的栅极端与上述第二晶体管的栅极端及漏极端共同连接。

全文数据:

权利要求:

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