龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：本公开提供用于在各种应用中沉积氮化硅的方法和装置。实施方案包括在热式原子层沉积中使用经调整的配料时间与转换时间的比将氮化硅直接沉积在硅或氧化硅表面上。实施方案包括在沉积任何氮化硅之前将氧化硅表面暴露于含氮等离子体处理以及通过热式原子层沉积来沉积氮化硅。
主权项：1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：向处理室提供具有暴露表面的半导体衬底；通过1加热所述半导体衬底至第一温度和或2将所述半导体衬底暴露于含氮等离子体以在所述半导体衬底上执行预处理；使用配料时间将卤硅烷气体的气流引入所述处理室；在停止所述卤硅烷气体的气流后，清扫所述处理室持续第一清扫时间；使用转换时间将第一含氮气体的气流引入所述处理室以通过热式原子层沉积形成氮化硅；以及在停止所述第一含氮气体的气流后，清扫所述处理室持续第二清扫时间。
全文数据：
权利要求：
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号