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申请/专利权人:朗姆研究公司
摘要:本公开提供用于在各种应用中沉积氮化硅的方法和装置。实施方案包括在热式原子层沉积中使用经调整的配料时间与转换时间的比将氮化硅直接沉积在硅或氧化硅表面上。实施方案包括在沉积任何氮化硅之前将氧化硅表面暴露于含氮等离子体处理以及通过热式原子层沉积来沉积氮化硅。
主权项:1.一种处理衬底的方法,所述方法包括:向处理室提供具有暴露表面的半导体衬底;通过1加热所述半导体衬底至第一温度和或2将所述半导体衬底暴露于含氮等离子体以在所述半导体衬底上执行预处理;使用配料时间将卤硅烷气体的气流引入所述处理室;在停止所述卤硅烷气体的气流后,清扫所述处理室持续第一清扫时间;使用转换时间将第一含氮气体的气流引入所述处理室以通过热式原子层沉积形成氮化硅;以及在停止所述第一含氮气体的气流后,清扫所述处理室持续第二清扫时间。
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