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申请/专利权人:腾讯科技(深圳)有限公司
摘要:本申请公开了一种硅片及其硅孔的填充方法,属于超导量子技术领域。该方法包括:在硅片中硅孔的开口所在侧设置超导材料,并采用加热加压处理的键合方式将超导材料填充至硅孔内。如此,可以通过灵活控制温度和压力,将超导材料熔化后快速且充分的挤压至硅孔内,完成超导材料的填充。采用该填充方法填充超导材料的速率较快,仅需较短的时长即可填充足够厚的超导材料。
主权项:1.一种硅孔K0的填充方法,其特征在于,所述方法包括:提供具有硅孔K0的硅片00,所述硅孔K0为具有上下两个开口的硅通孔;在所述硅片00的所述上下两个开口所在侧均设置超导材料01;将设置有超导材料01的硅片00置于加热台10上,以对所述超导材料01进行加热处理;在两侧的超导材料01远离所述硅片00一侧分别设置一个硬质垫片20;在所述超导材料01被加热至熔化后,向所述硬质垫片20施加压力,以对熔化后的超导材料01进行加压处理,以将所述超导材料01填充至所述硅孔K0内。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 腾讯科技(深圳)有限公司 硅片及其硅孔的填充方法
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