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申请/专利权人:天津大学
摘要:本发明公开一种硅基集成悬置线电路,由多层硅晶圆层叠形成自封装结构,包括至少三层硅晶圆,至少对两层硅晶圆进行蚀刻,以在所述硅基集成悬置线主电路信号线的上方和或下方形成空腔。本发明通过硅基加工技术,实现更高精度的集成悬置线加工与装配,在更高频段、电路小型化、更高集成度等应用场景中具有很大潜力;可以更好地与芯片等实现高性能、低损耗、高效率的互连,继承了集成悬置线平台低损耗、自封装、高性能等优势,同时,硅基材料及工艺进一步降低了损耗,为系统集成提供了良好的散热特性;实现硅基集成悬置线电路可靠的过渡与测试方案。
主权项:1.硅基集成悬置线电路,其特征在于,由多层硅晶圆层叠形成自封装结构,包括至少三层硅晶圆,至少对两层硅晶圆进行蚀刻,以在所述硅基集成悬置线主电路信号线的上方和或下方形成空腔。
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