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申请/专利权人:福建金石能源有限公司
摘要:本发明公开了一种气相沉积装置,涉及气相沉积技术领域。该气相沉积装置包括加热底座和承载框,承载框开设有让位空腔,承载框用于承载硅片,以使硅片遮蔽让位空腔,承载框放置于加热底座上,加热底座凸设有顶撑部,顶撑部设置于让位空腔的中部,且穿过让位空腔设置,顶撑部用于对硅片的中部进行支撑,以使硅片的边缘搭接于承载框上而不会发生翘曲。本发明提供的气相沉积装置通过顶撑部对硅片的中部进行支撑,以防止硅片出现中间下凹,两边翘起的变形情况,保证硅片的边缘搭接于承载框上而不会发生翘曲,从而有效避免绕镀现象的发生,保证电池质量。
主权项:1.一种气相沉积装置,其特征在于,包括加热底座和承载框,所述承载框开设有让位空腔,所述承载框用于承载硅片,以使所述硅片遮蔽所述让位空腔,所述承载框放置于所述加热底座上,所述加热底座凸设有顶撑部,所述顶撑部设置于所述让位空腔的中部,且穿过所述让位空腔设置,所述顶撑部用于对所述硅片的中部进行支撑,以使所述硅片的边缘搭接于所述承载框上而不会发生翘曲;所述气相沉积装置还包括布气盒,所述布气盒平行间隔地设置于所述加热底座的上方,所述布气盒开设有多个进气通道,多个所述进气通道平行间隔设置,且均垂直于所述加热底座设置,所述进气通道用于供反应气体通入;所述气相沉积装置还包括绝缘框,所述绝缘框连接于所述布气盒的底部,且设置于所述布气盒的边缘,所述绝缘框与所述加热底座间隔设置,且形成溢流通道,所述溢流通道用于供反应气体流出;所述绝缘框的横截面呈倒梯形设置,所述绝缘框设置有导流斜面,所述溢流通道设置于所述导流斜面和所述加热底座之间,所述导流斜面与所述布气盒的底面之间形成预设夹角,所述预设夹角小于或者等于45度。
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权利要求:
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