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申请/专利权人:深圳天狼芯半导体有限公司
摘要:本申请属于功率器件技术领域,提供了一种积累型沟道碳化硅MOS器件及其制备方法、芯片,通过设置N型碳化硅漂移层具有凸起结构,栅极多晶硅层由栅极介质层包裹,且栅极介质层形成于N型碳化硅漂移层第一侧的水平部上;P型重掺杂区形成于N型碳化硅漂移层第二侧的水平部上,且与栅极介质层之间由凸起结构隔离;N型多晶硅层形成于N型碳化硅漂移层的凸起结构上,且与N型多晶硅层之间形成异质结;由源极层与栅极介质层、N型多晶硅层、P型重掺杂区接触,通过采用单极异质结二极管,将其与MOSFET的沟道区域结合,使得器件具有单极性二极管的优势,并且在不增加器件面积,不影响阻断能力的情况下,提高了器件的反向续流能力。
主权项:1.一种积累型沟道碳化硅MOS器件,其特征在于,包括:N型衬底;N型碳化硅漂移层,形成于所述N型衬底的正面;其中,所述N型碳化硅漂移层具有凸起结构;栅极介质层和栅极多晶硅层,栅极多晶硅层由所述栅极介质层包裹,且所述栅极介质层形成于所述N型碳化硅漂移层第一侧的水平部上;P型重掺杂区,形成于所述N型碳化硅漂移层第二侧的水平部上,且与所述栅极介质层之间由所述凸起结构隔离;N型多晶硅层,形成于所述N型碳化硅漂移层的凸起结构上,且与所述N型碳化硅漂移层之间形成异质结;源极层,形成于所述栅极介质层、所述N型多晶硅层、所述P型重掺杂区上;漏极层,形成于所述N型衬底的背面。
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百度查询: 深圳天狼芯半导体有限公司 积累型沟道碳化硅MOS器件及其制备方法、芯片
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