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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种积累型沟道碳化硅MOS器件及其制备方法、芯片，通过设置N型碳化硅漂移层具有凸起结构，栅极多晶硅层由栅极介质层包裹，且栅极介质层形成于N型碳化硅漂移层第一侧的水平部上；P型重掺杂区形成于N型碳化硅漂移层第二侧的水平部上，且与栅极介质层之间由凸起结构隔离；N型多晶硅层形成于N型碳化硅漂移层的凸起结构上，且与N型多晶硅层之间形成异质结；由源极层与栅极介质层、N型多晶硅层、P型重掺杂区接触，通过采用单极异质结二极管，将其与MOSFET的沟道区域结合，使得器件具有单极性二极管的优势，并且在不增加器件面积，不影响阻断能力的情况下，提高了器件的反向续流能力。
主权项：1.一种积累型沟道碳化硅MOS器件，其特征在于，包括：N型衬底；N型碳化硅漂移层，形成于所述N型衬底的正面；其中，所述N型碳化硅漂移层具有凸起结构；栅极介质层和栅极多晶硅层，栅极多晶硅层由所述栅极介质层包裹，且所述栅极介质层形成于所述N型碳化硅漂移层第一侧的水平部上；P型重掺杂区，形成于所述N型碳化硅漂移层第二侧的水平部上，且与所述栅极介质层之间由所述凸起结构隔离；N型多晶硅层，形成于所述N型碳化硅漂移层的凸起结构上，且与所述N型碳化硅漂移层之间形成异质结；源极层，形成于所述栅极介质层、所述N型多晶硅层、所述P型重掺杂区上；漏极层，形成于所述N型衬底的背面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 积累型沟道碳化硅MOS器件及其制备方法、芯片
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