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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种半超结碳化硅MOS器件及其制备方法、芯片，通过在N型漂移层的左侧部上设置P型阱区，在N型漂移层的右侧部上设置P型重掺杂区，N型漂移层的凹槽内形成绝缘介质柱，且由P型屏蔽区将绝缘介质柱与N型漂移层隔离，不影响器件的漏源击穿电压情况下，可以允许N型漂移层具有较高的掺杂浓度，使得器件可以具有较优的比导通电阻，同时，P型屏蔽区可以钳位饱和电流，在不影响导通电阻的情况下提高器件的抗短路能力。
主权项：1.一种半超结碳化硅MOS器件，其特征在于，包括：N型衬底；N型漂移层，形成于所述N型衬底的正面；其中，所述N型漂移层为凹形结构，所述凹形结构的左侧部的高度大于所述凹形结构的右侧部的高度；P型屏蔽区，形成于所述N型漂移层的凹槽内壁；绝缘介质柱，形成于所述N型漂移层的凹槽内，且由所述P型屏蔽区将所述绝缘介质柱与所述N型漂移层隔离；栅极介质层，形成于所述绝缘介质柱上；栅极多晶硅层，由所述栅极介质层包裹；P型阱区，形成于所述N型漂移层的左侧部上；N型重掺杂区，形成于所述P型阱区上；P型重掺杂区，形成于所述N型漂移层的右侧部上；源极层，形成于所述N型重掺杂区、所述P型重掺杂区以及所述栅极介质层上；漏极层，形成于所述N型衬底的背面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 半超结碳化硅MOS器件及其制备方法、芯片
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