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申请/专利权人：上海海事大学
摘要：本发明公开了一种基于二维Ti3C2TxMOS复合材料的气体传感器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供平面电极基片；称取多层Ti3C2Tx材料进行插层、超声分散处理，得到少层Ti3C2Tx分散液；将所述少层Ti3C2Tx分散液滴涂于所述的平面电极基片的上表面并干燥，形成Ti3C2Tx薄膜；提供MOS靶材，通过磁控溅射在Ti3C2Tx薄膜表面沉积MOS薄膜，得到具有双层气敏材料薄膜的平面电极基片，并经后续组装，完成基于二维Ti3C2TxMOS复合材料的气体传感器的制备。本发明制备方法制得的传感器具有优良的灵敏度、选择性、循环稳定性以及可恢复性，且制备方法简单可靠，重复性高，适于大规模生产。
主权项：1.一种基于二维Ti3C2TxMOS复合材料的气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供平面电极基片；S2，称取多层Ti3C2Tx材料进行插层、超声分散处理，得到少层Ti3C2Tx分散液；S3，将所述少层Ti3C2Tx分散液滴涂于所述的平面电极基片的上表面并干燥，形成Ti3C2Tx薄膜；S4，提供MOS靶材，通过磁控溅射在所述Ti3C2Tx薄膜表面沉积MOS薄膜，得到具有双层气敏材料薄膜的平面电极基片；S5，步骤S4得到的平面电极基片经后续组装，完成基于二维Ti3C2TxMOS复合材料的气体传感器的制备；其中，所述的MOS靶材选自SnO2、ZnO、WO3中的任意一种；所述气体传感器的检测气体为氨气。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海海事大学 一种基于二维Ti3C2Tx/MOS复合材料的气体传感器及其制备方法
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