买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:上海海事大学
摘要:本发明公开了一种基于二维Ti3C2TxMOS复合材料的气体传感器及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:提供平面电极基片;称取多层Ti3C2Tx材料进行插层、超声分散处理,得到少层Ti3C2Tx分散液;将所述少层Ti3C2Tx分散液滴涂于所述的平面电极基片的上表面并干燥,形成Ti3C2Tx薄膜;提供MOS靶材,通过磁控溅射在Ti3C2Tx薄膜表面沉积MOS薄膜,得到具有双层气敏材料薄膜的平面电极基片,并经后续组装,完成基于二维Ti3C2TxMOS复合材料的气体传感器的制备。本发明制备方法制得的传感器具有优良的灵敏度、选择性、循环稳定性以及可恢复性,且制备方法简单可靠,重复性高,适于大规模生产。
主权项:1.一种基于二维Ti3C2TxMOS复合材料的气体传感器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,提供平面电极基片;S2,称取多层Ti3C2Tx材料进行插层、超声分散处理,得到少层Ti3C2Tx分散液;S3,将所述少层Ti3C2Tx分散液滴涂于所述的平面电极基片的上表面并干燥,形成Ti3C2Tx薄膜;S4,提供MOS靶材,通过磁控溅射在所述Ti3C2Tx薄膜表面沉积MOS薄膜,得到具有双层气敏材料薄膜的平面电极基片;S5,步骤S4得到的平面电极基片经后续组装,完成基于二维Ti3C2TxMOS复合材料的气体传感器的制备;其中,所述的MOS靶材选自SnO2、ZnO、WO3中的任意一种;所述气体传感器的检测气体为氨气。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 上海海事大学 一种基于二维Ti3C2Tx/MOS复合材料的气体传感器及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。