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申请/专利权人：珠海硅芯科技有限公司
摘要：本发明提供一种温差发电芯片及其工作方法、三维集成电路，该温差发电芯片包括第一晶粒层和第二晶粒层，第一晶粒层与第二晶粒层之间形成有电绝缘的介质层，第一晶粒层内设置有磁性塞贝克热电结构体，第二晶粒层内设置有非磁性塞贝克热电结构体；第一晶粒层远离介质层的一侧设置有芯片元件层，芯片元件层上设置有温度控制阀门、温度控制电路和充电模块；当温度控制阀门处于第一开关状态时，温度控制阀门使充电模块连接至磁性塞贝克热电结构体；当温度控制阀门处于第二开关状态时，温度控制阀门使充电模块连接至非磁性塞贝克热电结构体。本发明还提供具有上述温差发电芯片的三维集成电路。本发明的温差发电芯片的热电转换效率高。
主权项：1.温差发电芯片，集成在三维集成电路内，其特征在于，该温差发电芯片包括：第一晶粒层和第二晶粒层，所述第一晶粒层与所述第二晶粒层之间形成有电绝缘的介质层，所述第一晶粒层内设置有磁性塞贝克热电结构体，所述第二晶粒层内设置有非磁性塞贝克热电结构体；所述第一晶粒层远离所述介质层的一侧设置有芯片元件层，所述芯片元件层上设置有温度控制阀门、温度控制电路和充电模块，所述温度控制阀门与所述温度控制电路电连接，所述温度控制电路与所述充电模块电连接，所述温度控制阀门可选择性的处于第一开关状态或者第二开关状态；当所述温度控制阀门处于所述第一开关状态时，所述温度控制阀门使所述充电模块连接至所述磁性塞贝克热电结构体；当所述温度控制阀门处于所述第二开关状态时，所述温度控制阀门使所述充电模块连接至所述非磁性塞贝克热电结构体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海硅芯科技有限公司 温差发电芯片及其工作方法、三维集成电路
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