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申请/专利权人：陕西半导体先导技术中心有限公司
摘要：本发明公开了一种带有突出P阱的UMOSFET器件及其制备方法，包括：漂移区，以及位于漂移区上方的沟道区；沟道区包括沟槽，沟槽的底部设置有第一电流传输层、以及位于第一电流传输层两侧的角落堆积区；第一电流传输层的下方设置有第二电流传输层，第二电流传输层与第一电流传输层层叠设置，第二电流传输层由第一电流传输层的下表面延伸至所述漂移区，沿垂直于漂移区的方向，第二电流传输层的正投影位于第一电流传输层的正投影的中间，第二电流传输层的掺杂浓度小于第一电流传输层的掺杂浓度；第一电流传输层和角落堆积区的上方设置有栅介质层，栅介质层呈U型结构，栅介质层内设置有栅电极。本发明能够改善器件的性能。
主权项：1.一种带有突出P阱的UMOSFET器件，其特征在于，包括：漂移区；沟道区，位于所述漂移区的上方，且与所述漂移区层叠设置；所述沟道区包括沟槽，所述沟槽的底部设置有第一电流传输层、以及位于所述第一电流传输层两侧的角落堆积区；所述第一电流传输层的下方设置有第二电流传输层，所述第二电流传输层与所述第一电流传输层层叠设置，所述第二电流传输层由所述第一电流传输层的下表面延伸至所述漂移区，沿垂直于所述漂移区的方向，所述第二电流传输层的正投影位于所述第一电流传输层的正投影的中间，所述第二电流传输层的掺杂浓度小于所述第一电流传输层的掺杂浓度；所述第一电流传输层和所述角落堆积区的上方设置有栅介质层，所述栅介质层呈U型结构，所述栅介质层内设置有栅电极。
全文数据：
权利要求：
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