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申请/专利权人:聚灿光电科技股份有限公司;天津工业大学
摘要:本发明涉及一种具有折叠状量子阱层的InGaN基红光LED外延薄膜结构,旨在解决现行红光LED技术中材料匹配性、制程复杂性及光衰减等问题。通过特殊设计的折叠型量子阱层、应力释放层与多孔结构,本发明不仅显著提升了红光LED的发光波长至600nm~620nm区间,还改善了外延整体的垒晶质量,有效释放了应力。此外,通过优化外延层结构和参数,进一步提高了LED的发光效率和稳定性。本发明为红光LED的发展提供了创新的技术方案,具有重要的应用价值和发展潜力。
主权项:1.一种具有折叠状量子阱层的InGaN基红光LED外延薄膜结构,其特征在于,包括:蓝宝石图形化衬底;复合缓冲层,设置在所述蓝宝石图形化衬底上;uGaN层,设置在所述复合缓冲层上;应力释放和多孔结构生成层,设置在所述uGaN层上,其包括u-InGaNH2etchingGaN的多层结构,用于释放应力并形成多孔结构;GaN盖层,设置在所述应力释放和多孔结构生成层上;N型GaN层循环结构,设置在所述GaN盖层上,采用低温生长方式形成凹凸表面;第三应力释放层,设置在所述N型GaN层循环结构上;折叠型量子阱层,设置在所述第三应力释放层上,为InN层、量子阱以及量子阱势垒的循环结构,其循环数控制在5-20,所述InN层厚度控制在0.5~1.0nm,所述量子阱为厚度控制在2-3nm的InGaN,In的掺杂浓度控制在30%~35%,所述量子阱势垒包括Barrier1和Barrier2,其中Barrier1为厚度控制在1-2nm的AlGaN,Al掺杂浓度控制在20%~25%,Barrier2为厚度控制在2-3nm的GaN;LT-pGaN层、EBL、HT-pGaN层以及P型接触层,依次设置在所述折叠型量子阱层上;其中,所述折叠型量子阱层的设计使得LED的发光峰值波长控制在600nm~620nm区间的红光波段。
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