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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明公开一种含δ掺杂势垒层的常关型氧化镓基MIS‑HEMT器件及其制备方法，其中器件包括衬底和层叠设置在衬底一端面上的缓冲层，其还包括：沟道层、间隔层、δ掺杂层、势垒层、源电极、漏电极、介质层和栅电极；其中，所述δ掺杂层设置在间隔层远离沟道层的端面上，用于避免产生平行导电沟道。本发明采用δ掺杂势垒层结构来代替对整层进行均匀掺杂的势垒层结构，可以避免产生平行导电通道，并克服由其带来的器件跨导和击穿电压降低，射频特性功能下降和开关特性变差等不足。可以减弱陷阱效应，增大沟道中的2DEG浓度，以及提高器件的击穿电压和可靠性。本发明用于实现器件常关操作所采用的凹槽栅刻蚀技术具备工艺成熟、成本低、均匀性和重复性好等优势。
主权项：1.一种含δ掺杂势垒层的常关型氧化镓基MIS-HEMT器件，包括衬底层和层叠设置在衬底层一端面上的缓冲层，其特征在于，其还包括：沟道层、间隔层、δ掺杂层、势垒层、源电极、漏电极、介质层和栅电极；其中，所述δ掺杂层设置在间隔层远离沟道层的端面上，用于避免产生平行导电沟道；所述δ掺杂层包括第一δ掺杂层和第二δ掺杂层，所述间隔层包括第一间隔层和第二间隔层，所述势垒层包括第一势垒层和第二势垒层；所述第一势垒层、第一δ掺杂层、第一间隔层、沟道层、第二间隔层、第二δ掺杂层和第二势垒层依序自下而上叠设在缓冲层远离衬底层的端面上，且介质层设在第二势垒层跨上；其中，所述衬底层、缓冲层、第一势垒层、第一δ掺杂层以及第一间隔层的宽度相同；所述沟道层、第二间隔层、第二δ掺杂层以及第二势垒层的宽度相同，且比第一间隔层宽度小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法
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