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申请/专利权人：珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司
摘要：本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
主权项：1.一种沟槽MOS器件，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上设置的漂移层和源区，所述沟槽MOS器件还包括：栅沟槽结构，所述栅沟槽结构贯穿所述源区并延伸至所述漂移层中，所述栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，所述栅极包括相对设置的第一侧面和第二侧面，所述栅介质层包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述第一侧面接触，所述第二区域与所述第二侧面接触，所述第一区域与所述第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度，所述第一方向为垂直于所述第一侧面的方向；整流结构，所述整流结构位于所述漂移层背离所述衬底的一侧，所述整流结构与所述第二区域接触，所述整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，所述漂移层区域包括与所述半导体材料区接触的部分所述漂移层，所述半导体材料区域与所述漂移层区域具有不同的掺杂类型，所述半导体材料区与所述第二区域接触。
全文数据：
权利要求：
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