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申请/专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
摘要：本申请公开了一种GaN‑HEMT器件及其制备方法，GaN‑HEMT器件包括：衬底；产生有二维电子气的化合物半导体复合层，设置在衬底上；电极结构，包括：源极结构、栅极结构和漏极结构，设置在化合物半导体复合层上，栅极结构位于源极结构与漏极结构之间，栅极结构包括：设置在化合物半导体复合层上的盖帽结构以及设置在盖帽结构上的栅极金属；盖帽结构包括：面向源极结构和或漏极结构的侧壁；第一保护结构，从化合物半导体复合层的表面沿着侧壁向远离衬底的方向延伸，且第一保护结构位于侧壁与其对应的电极结构之间。通过上述设置，可以解决相关技术中P‑GaN表面损伤的问题，降低栅极漏电的风险，提升栅极调控能力。
主权项：1.一种GaN-HEMT器件，其特征在于，包括：衬底；产生有二维电子气的化合物半导体复合层，设置在所述衬底上；电极结构，包括：源极结构、栅极结构和漏极结构，设置在所述化合物半导体复合层上，所述栅极结构位于所述源极结构与所述漏极结构之间；所述栅极结构包括：设置在所述化合物半导体复合层上的盖帽结构以及设置在所述盖帽结构上的栅极金属；所述盖帽结构包括：面向所述源极结构和或所述漏极结构的侧壁；第一保护结构，从所述化合物半导体复合层的表面沿着所述侧壁向远离所述衬底的方向延伸，且所述第一保护结构位于所述侧壁与其对应的电极结构之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南三安半导体有限责任公司 GaN-HEMT器件及其制备方法
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